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サムスン電子が独自開発した半導体の核心技術を中国に流出させた容疑で、半導体の専門家である元役員と主任研究員が警察に拘束された。
ソウル警察庁産業技術保安捜査隊は6日、サムスン電子と旧ハイニックス半導体（現SKハイニックス）の役員を務めたチェ某(66)氏と元サムスン電子の主任研究員のオ某(60)氏を産業技術法違反と不正競争防止及び営業秘密保護法違反容疑で前日拘束したと明らかにした。
同氏らは、サムスン電子が2014年に独自に開発した20ナノDRAM半導体技術工程図700余りを無断流出し、中国企業である成都雅電の製品開発に使用させた疑いがある。
チェ氏は、中国成都市から投資を受けて2021年に成都雅電を設立し、オ氏は成都雅電の役員を務めたとされる。
警察は諜報情報を把握して捜査に乗り出し、昨年オ氏の自宅を押収捜査する過程で公正度を発見し、関連容疑を追跡してきた。先立って警察は1月、オ氏に対する拘束令状を申請したが棄却されました。
警察は以後、補完捜査を経て今回拘束令状を再申請し、チェ氏に対する令状も共に申請した。
ソウル中央地裁は「逃げる恐れがある」として令状を発給した。
警察は、拘束捜査を通じて、具体的な流出経緯と正確な被害範囲、彼らが得た経済的利益かどうかなどを把握する方針だ。引用元記事:ttps://x.gd/y5BQK
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